半導體芯片可靠性檢測-無錫瀚科檢測有限公司

半導體芯片可靠性檢測

高溫存儲試驗、溫度循環試驗、溫濕度試驗等。

可靠性測試
EOS過度電性應力/涌浪測試一般件、ESD（HBM）一般件、ESD（MM）一般件、ESD（Latch-up）一般件、Non socket CDM Orion CDM 一般件、System-level ESD test 一般件、TLP ESD test 一般件、UBHAST 非偏壓高加速壽命試驗、TCT 溫度循環試驗、BLT 偏壓壽命試驗、HTS 高溫貯存試驗 0~ 300c、LTS 低溫貯存試驗、THB 溫濕度貯存偏壓試驗、PCT 高溫水蒸汽壓力試驗、HAST 高加速壽命試驗、Pre-condition-not include SAT、Solderability 沾錫試驗、PTC 電源溫度循環、SAT 一般件。

服務項目		描述
芯片失效分析	EMMI	失效點定位
	OBIRCH	擊穿路徑成像
	FIB	電路修改：0.55 um以上、電路修改：0.11-0.28 m及以上工藝（鋁制程）、電路修改：0.11-0.18 um （銅制程）、電路修改: 55-90 nm、電路修改：28-40 nm、切割：IC橫截面、切割：TEM樣品制備
	SEM	電子成像
	EDX	元素分析
	DECAP	金線、銅線、合金
	OM	高清光學顯微成像，可拼圖
	AFM（C-AFM）	材料微觀形貌、大小、厚度和粗糙度表征；表面電勢、導電性、彈性模量、壓電系數
	XPS	元素種類、化學價態及相對含量鑒別；元素或化學態表面分布分析
	TEM	材料微區觀察與分析
	FIB+TEM	透射樣品制祥+觀察
	XRD	金屬和非金屬定性定量分析
	Raman	物質結構鑒定、分子相互作用分析
	橢偏儀	各種介質膜厚度及折射率
	FT-IR	樣品成分、結構鑒定
芯片電學測試	靜態特性參數	靜態參教、特性曲線（Vd-Id, ld-Vg）
	動態特性參數	等效電容Ciss, Cosg, Crss；柵極等效電阻Rg；柵極電荷特性Qg；阻性開關特性td（on），td（off）,tr, tf；感性開關特性td（on）, td （off）,tr, tf；二極管反向恢復特性trr, Qrr；短路耐量（時間）
	熱阻特性	穩態熱阻、瞬態熱阻
	抗靜電雷擊測試	二極管液涌測試儀（正向）、二極管液浦測試儀（反向）、雷擊浪涌發生器、峰值電壓測試設備、雷擊浪涌測試設備、TLP

手???機：18036862869

電???話：0510-85388506

郵???箱：hkt@hanketest.com

網???址：m.tfzgxs.com

地???址：江蘇省無錫市新吳區景賢路52號

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